BSZ0901NSI
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BSZ0901NSI參數：MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON

類別：分立半導體產品-FET - 單
標準包裝：5,000
系列：OptiMOS™
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：MOSFET N 通道，肖特基，金屬氧化物!
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)：30V
電流 - 連續漏極 (Id)（25° C 時）：40A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：2.1 毫歐 @ 20A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：41nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：2600pF @ 15V
功率 - 最大值：69W
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-TDFN 裸露焊盤
供應商器件封裝：PG-TSDSON-8（3.3x3.3）