BSS8402DW-7
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BSS8402DW-7參數(shù)：MOSFET N+P 50,60V 130MA SC70-6

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列
PCNDesign/Specification： GreenEncapsulateChange09/July/2007
標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000
系列：-
包裝：帶卷(TR)
FET類型：N和P溝道
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：60V，50V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：115mA，130mA
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：7.5歐姆@50mA，5V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：2.5V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：-
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：50pF@25V
功率-最大值：200mW
安裝類型：表面貼裝
封裝：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供應(yīng)商器件封裝：SOT-363