BSS83PL6327
PDF資料下載

BSS83PL6327參數(shù)：MOSFET P-CH 60V 330MA SOT-23

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
產(chǎn)品變化通告： ProductDiscontinuation25/Nov/2011
標準包裝：3,000
系列：SIPMOS®
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETP通道，金屬氧化物
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：60V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：330mA
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：2歐姆@330mA，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：2V@80µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：3.57nC@10V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：78pF@25V
功率-最大值：360mW
安裝類型：表面貼裝
封裝：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供應(yīng)商器件封裝：PG-SOT23-3