BSS83P H6327
PDF資料下載

BSS83P H6327參數：MOSFET P-CH 60V 330mA SOT23

類別：分立半導體產品-FET - 單
標準包裝：3,000
系列：SIPMOS®
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)：60V
電流 - 連續漏極 (Id)（25° C 時）：330mA
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：2 歐姆 @ 330mA，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 80µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：3.57nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：78pF @ 25V
功率 - 最大值：360mW
安裝類型：表面貼裝
封裝：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供應商器件封裝：PG-SOT23-3