BSS816NW L6327
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BSS816NW L6327參數(shù)：MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT323

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
產(chǎn)品變化通告： ProductDiscontinuation30/Nov/2011
標準包裝：3,000
系列：OptiMOS™
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：20V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：1.4A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：160毫歐@1.4A，2.5V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：750mV@3.7µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：0.6nC@2.5V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：180pF@10V
功率-最大值：500mW
安裝類型：表面貼裝
封裝：SC-70，SOT-323
供應(yīng)商器件封裝：PG-SOT323-3