BSS816NW L6327參數(shù)：MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT323
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品變化通告： ProductDiscontinuation30/Nov/2011標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000系列：OptiMOS™包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：20V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：1.4A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：160毫歐@1.4A，2.5V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：750mV@3.7µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：0.6nC@2.5V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：180pF@10V功率-最大值：500mW安裝類型：表面貼裝封裝：SC-70，SOT-323供應(yīng)商器件封裝：PG-SOT323-3
