BSD235N H6327
PDF資料下載

BSD235N H6327參數：MOSFET N-CH DUAL 20V SOT363

類別：分立半導體產品-FET - 陣列
標準包裝：3,000
系列：OptiMOS™
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：2 個 N 溝道（雙）
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)：20V
電流 - 連續漏極 (Id)（25° C 時）：950mA
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：350 毫歐 @ 950mA，4.5V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：1.2V @ 1.6µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：0.32nC @ 4.5V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：63pF @ 10V
功率 - 最大值：500mW
安裝類型：表面貼裝
封裝：6-VSSOP，SC-88，SOT-363
供應商器件封裝：PG-SOT363-6