BFU660F,115
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BFU660F,115參數：TRANSISTOR NPN SOT343F

類別：分立半導體產品-RF 晶體管 (BJT)
產品培訓模塊： BFU6xx/7xx,6thand7thGenerationWidebandTransistors
標準包裝：3,000
系列：-
包裝：帶卷(TR)
晶體管類型：NPN
電壓-集射極擊穿（最大值）：5.5V
頻率-躍遷：21GHz
噪聲系數（dB，不同f時的典型值）：0.6dB~1.2dB@1.5GHz~5.8GHz
增益：12dB~21dB
功率-最大值：225mW
不同?Ic、Vce?時的DC電流增益(hFE)（最小值）：90@10mA，2V
電流-集電極(Ic)（最大值）：60mA
安裝類型：表面貼裝
封裝：SOT-343F
供應商器件封裝：4-DFP