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APT1001R6BFLLG參數(shù)：MOSFET N-CH 1000V 8A TO-247
類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單標(biāo)準(zhǔn)包裝：30系列：POWER MOS 7®包裝：管件FET 類(lèi)型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓 (Vdss)：1000V（1kV）電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：8A不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：1.6 歐姆 @ 4A，10V不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 1mA不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：55nC @ 10V不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：1320pF @ 25V功率 - 最大值：266W安裝類(lèi)型：通孔封裝：TO-247-3供應(yīng)商器件封裝：TO-247 [B]
