APTM120U10DAG
PDF資料下載

APTM120U10DAG參數：MOSFET N-CH 1200V 116A SP6

類別：半導體模塊-FET
標準包裝：1
系列：-
包裝：散裝
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：標準
漏源極電壓 (Vdss)：1200V（1.2kV）
電流 - 連續漏極 (Id)（25° C 時）：116A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：120 毫歐 @ 58A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 20mA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：1100nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：28900pF @ 25V
功率 - 最大值：3290W
安裝類型：底座安裝
封裝：SP6
供應商器件封裝：SP6