APTGF100DA120T1G參數(shù)：IGBT 1200V 130A 735W SP1
類別：半導(dǎo)體模塊-IGBT標(biāo)準(zhǔn)包裝：1系列：-IGBT 類型：NPT配置：單一電壓 - 集射極擊穿（最大值）：1200V不同?Vge、Ic 時的?Vce(on)：3.7V @ 15V，100A電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：130A電流 - 集電極截止（最大值）：250µA不同?Vce 時的輸入電容 (Cies)：6.5nF @ 25V功率 - 最大值：735W輸入：標(biāo)準(zhǔn)NTC 熱敏電阻：是安裝類型：底座安裝封裝：SP1供應(yīng)商器件封裝：SP1
