APTC60AM18SCG參數(shù)：MOSFET 2N CH 600V 143A SIC SP6
類別：半導(dǎo)體模塊-FET標(biāo)準(zhǔn)包裝：1系列：CoolMOS™包裝：散裝FET 類型：2 個 N 通道（半橋）FET 功能：碳化硅 (SiC)漏源極電壓 (Vdss)：600V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：143A不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：18 毫歐 @ 71.5A，10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：3.9V @ 4mA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：1036nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：28000pF @ 25V功率 - 最大值：833W安裝類型：底座安裝封裝：SP6供應(yīng)商器件封裝：SP6
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