APT45GP120B2DQ2G
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APT45GP120B2DQ2G參數(shù)：IGBT 1200V 113A 625W TMAX

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-IGBT - 單路
產(chǎn)品目錄繪圖： T-MAXFront
標(biāo)準包裝：30
系列：POWERMOS7®
包裝：管件
IGBT類型：PT
電壓-集射極擊穿（最大值）：1200V
不同?Vge、Ic時的?Vce(on)：3.9V@15V，45A
電流-集電極(Ic)（最大值）：113A
Current-CollectorPulsed(Icm)：170A
功率-最大值：625W
SwitchingEnergy：900µJ(開),905µJ(關(guān))
輸入類型：標(biāo)準
GateCharge：185nC
Td(on/off)A25°C：18ns/100ns
TestCondition：600V,45A,5歐姆,15V
反向恢復(fù)時間(trr)：-
封裝：TO-247-3變式
安裝類型：通孔
供應(yīng)商器件封裝：*