APT10M11B2VFRG參數(shù)：MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單標(biāo)準(zhǔn)包裝：30系列：POWER MOS V®包裝：管件FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓 (Vdss)：100V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：100A不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：11 毫歐 @ 500mA，10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 2.5mA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：450nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：10300pF @ 25V功率 - 最大值：520W安裝類型：通孔封裝：TO-247-3 變式供應(yīng)商器件封裝：T-MAX?
