AOWF10N65
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AOWF10N65參數：MOSFET N-CH 650V 10A TO262F

類別：分立半導體產品-FET - 單
標準包裝：50
系列：-
包裝：管件
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：標準
漏源極電壓 (Vdss)：650V
電流 - 連續漏極 (Id)（25° C 時）：10A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：1 歐姆 @ 5A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：33nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：1645pF @ 25V
功率 - 最大值：28W
安裝類型：通孔
封裝：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA
供應商器件封裝：*