AON7522E
PDF資料下載

AON7522E參數：MOSFET N-CH 30V 21A 8DFN

類別：分立半導體產品-FET - 單
標準包裝：5,000
系列：-
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)：30V
電流 - 連續漏極 (Id)（25° C 時）：21A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：4 毫歐 @ 20A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：45nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：1540pF @ 15V
功率 - 最大值：3.1W
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-SMD，扁平引線裸焊盤
供應商器件封裝：8-DFN-EP（3x3）