AO9926B
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AO9926B參數(shù)：MOSFET DUAL N-CH 20V 7.6A 8-SOIC

類別：分立半導體產品-FET - 陣列
其它圖紙： AO4xxxSeries8-SOICTop AO4xxxSeries8-SOICEnd AO4xxxSeries8-SOICSide
標準包裝：3,000
系列：-
包裝：帶卷(TR)
FET類型：2個N溝道（雙）
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：20V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：7.6A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：23毫歐@7.6A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：1V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：8.8nC@4.5V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：630pF@10V
功率-最大值：2W
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm寬）
供應商器件封裝：8-SOIC