AO4800B參數：MOSFET DUAL N-CH 30V 6.9A 8-SOIC
類別：分立半導體產品-FET - 陣列其它圖紙： AO4xxxSeries8-SOICTop AO4xxxSeries8-SOICEnd AO4xxxSeries8-SOICSide標準包裝：3,000系列：-包裝：帶卷(TR)FET類型：2個N溝道（雙）FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：30V電流-連續漏極(Id)（25°C時）：6.9A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：27毫歐@6.9A，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：1.5V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：12nC@4.5V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：1100pF@15V功率-最大值：1.9W安裝類型：表面貼裝封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm寬）供應商器件封裝：8-SOIC
