2SK3666-3-TB-E
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2SK3666-3-TB-E參數：JFET N-CH 30V 10MA 3CP

類別：分立半導體產品-JFET（結點場效應
產品目錄繪圖： CPPackageN-Channel&RFFets,Top
標準包裝：3,000
系列：-
包裝：帶卷(TR)
不同Vds(Vgs=0)時的電流-漏極(Idss)：1.2mA@10V
漏源極電壓(Vdss)：30V
漏極電流(Id)-最大值：10mA
FET類型：N溝道
電壓-擊穿(V(BR)GSS)：-
不同Id時的電壓-截止（VGS關）：180mV@1µA
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：4pF@10V
電阻-RDS（開）：200歐姆
安裝類型：表面貼裝
封裝：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供應商器件封裝：3-CP
功率-最大值：200mW