2SJ683-TL-E參數(shù)：MOSFET P-CH 60V 65A ZP
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品目錄繪圖： ZPPackageP-Channel&N-ChannelTop標(biāo)準(zhǔn)包裝：1,500系列：-包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETP通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：60V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：65A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：10.5毫歐@33A，10V不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：-不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：290nC@10V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：15500pF@20V功率-最大值：50W安裝類型：表面貼裝封裝：3-SMD，扁平引線供應(yīng)商器件封裝：ZP
