暫無2SJ661-1EPDF資料下載

2SJ661-DL-E參數：MOSFET P-CH 4V DRIVE SMP-FD

類別：分立半導體產品-FET - 單
標準包裝：1,000
系列：-
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)：60V
電流 - 連續漏極 (Id)（25° C 時）：38A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：39 毫歐 @ 19A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2.6V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：80nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：4360pF @ 20V
功率 - 最大值：1.65W
安裝類型：表面貼裝
封裝：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應商器件封裝：SMP-FD