2SJ464(F)參數(shù)：MOSFET P-CH 100V 18A TO220NIS
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單標(biāo)準(zhǔn)包裝：50系列：-包裝：管件FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：100V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：18A不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：90 毫歐 @ 9A，10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 1mA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：140nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：2900pF @ 10V功率 - 最大值：45W安裝類型：通孔封裝：TO-220-3 整包供應(yīng)商器件封裝：TO-220NIS
