2N7000參數(shù)：MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： HighVoltageSwitchesforPowerProcessing標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,000系列：-包裝：散裝FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓(Vdss)：60V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：200mA不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：5歐姆@500mA，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：3V@1mA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：-不同Vds時的輸入電容(Ciss)：50pF@25V功率-最大值：400mW安裝類型：通孔封裝：TO-226-3、TO-92-3標(biāo)準(zhǔn)主體供應(yīng)商器件封裝：TO-92-3
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