【供應(yīng)】2SK3666-3-TB-E
- 產(chǎn)品型號：2SK3666-3-TB-E
- 生產(chǎn)廠家： ON Semiconductor
- 產(chǎn)品規(guī)格：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供應(yīng)商：查看供應(yīng)商>>
美元參考價格
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3000pcs： $0.09162/pcs
- 向供應(yīng)商詢價>>
6000pcs： $0.08653/pcs
15000pcs： $0.07890/pcs
30000pcs： $0.07381/pcs
75000pcs： $0.06617/pcs
150000pcs： $0.06363/pcs
詳細信息
產(chǎn)品目錄繪圖：
CP Package N-Channel & RF Fets, Top
標準包裝：3,000
系列：-
包裝：帶卷 (TR)
不同 Vds (Vgs=0) 時的電流 - 漏極 (Idss)：1.2mA @ 10V
漏源極電壓 (Vdss)：30V
漏極電流 (Id) - 最大值：10mA
FET 類型：N 溝道
電壓 - 擊穿 (V(BR)GSS)：-
不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）：180mV @ 1µA
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：4pF @ 10V
電阻 - RDS（開）：200 歐姆
安裝類型：表面貼裝
封裝：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供應(yīng)商器件封裝：3-CP
功率 - 最大值：200mW
標準包裝：3,000
系列：-
包裝：帶卷 (TR)
不同 Vds (Vgs=0) 時的電流 - 漏極 (Idss)：1.2mA @ 10V
漏源極電壓 (Vdss)：30V
漏極電流 (Id) - 最大值：10mA
FET 類型：N 溝道
電壓 - 擊穿 (V(BR)GSS)：-
不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）：180mV @ 1µA
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：4pF @ 10V
電阻 - RDS（開）：200 歐姆
安裝類型：表面貼裝
封裝：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供應(yīng)商器件封裝：3-CP
功率 - 最大值：200mW
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2SK3666-3-TB-EONSemiconductorJFETN-CH10MA..2023+10164000原裝進口現(xiàn)貨品質(zhì)保證
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2SK3666-3-TB-EONSemiconducto..3-CP2023+12244全新進口原裝現(xiàn)貨品質(zhì)保證
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2SK3666-3-TB-EonsemiSMCP2023+500全新原裝現(xiàn)貨質(zhì)量保證
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2SK3666-3-TB-EONSC-59-32023+16000【【【原裝絕對有貨】】】
