ZXMN10B08E6TC
PDF資料下載

ZXMN10B08E6TC參數(shù)：MOSFET N-CHAN 100V SOT23-6

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
標(biāo)準(zhǔn)包裝：10,000
系列：-
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)：100V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：1.6A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：230 毫歐 @ 1.6A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：9.2nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：497pF @ 50V
功率 - 最大值：1.1W
安裝類型：表面貼裝
封裝：SOT-23-6
供應(yīng)商器件封裝：SOT-23-6