TK35E08N1,S1X
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TK35E08N1,S1X參數(shù)：MOSFET N CH 80V 35A TO-220

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
特色產(chǎn)品： SiliconN-channelMOSFETSiliconN-channelMOSFET
標(biāo)準(zhǔn)包裝：50
系列：-
包裝：管件
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓(Vdss)：80V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：35A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：12.2毫歐@17.5A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：4V@300µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：25nC@10V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：1700pF@40V
功率-最大值：72W
安裝類型：通孔
封裝：TO-220-3
供應(yīng)商器件封裝：TO-220-3