STS7C4F30L參數：MOSFET N+P 30V 4/7A 8-SOIC
類別：分立半導體產品-FET - 陣列標準包裝：2,500系列：STripFET™包裝：帶卷 (TR)FET 類型：N 和 P 溝道FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：30V電流 - 連續漏極 (Id)（25° C 時）：7A，4A不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：22 毫歐 @ 3.5A，10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：23nC @ 5V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：1050pF @ 25V功率 - 最大值：2W安裝類型：表面貼裝封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝：8-SO
