STS6NF20V參數：MOSFET N-CH 20V 6A 8SOIC
類別：分立半導體產品-FET - 單其它有關文件： STS6NF20VViewAllSpecifications標準包裝：2,500系列：STripFET™包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平柵極，2.5V驅動漏源極電壓(Vdss)：20V電流-連續漏極(Id)（25°C時）：6A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：40毫歐@3A，4.5V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：600mV@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：11.5nC@4.5V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：460pF@15V功率-最大值：2.5W安裝類型：表面貼裝封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm寬）供應商器件封裝：8-SO
