STFI6N65K3參數(shù)：MOSFET N CH 650 5.4A I2PAKFP
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單其它有關(guān)文件： STFI6N65K3ViewAllSpecifications標(biāo)準(zhǔn)包裝：50系列：SuperMESH3™包裝：管件FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓(Vdss)：650V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：5.4A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：1.3歐姆@2.7A，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：4.5V@50µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：33nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：880pF@50V功率-最大值：30W安裝類型：通孔封裝：TO-262-3整包,I²Pak供應(yīng)商器件封裝：I2PAKFP
