STB80NF55L-08-1
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STB80NF55L-08-1參數(shù)：MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
其它有關(guān)文件： STB80NF55L-08-1ViewAllSpecifications
標(biāo)準(zhǔn)包裝：50
系列：STripFET™
包裝：管件
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓(Vdss)：55V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：80A
不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：8毫歐@40A，10V
不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：2.5V@250µA
不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：100nC@4.5V
不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：4350pF@25V
功率-最大值：300W
安裝類型：通孔
封裝：TO-262-3，長(zhǎng)引線，I²Pak，TO-262AA
供應(yīng)商器件封裝：I2PAK