STB10NK60Z-1
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STB10NK60Z-1參數(shù)：MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
其它有關(guān)文件： STB10NK60ZViewAllSpecifications
標(biāo)準(zhǔn)包裝：50
系列：SuperMESH™
包裝：管件
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓(Vdss)：600V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：10A
不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：750毫歐@4.5A，10V
不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：4.5V@250µA
不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：70nC@10V
不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：1370pF@25V
功率-最大值：115W
安裝類型：通孔
封裝：TO-262-3，長(zhǎng)引線，I²Pak，TO-262AA
供應(yīng)商器件封裝：I2PAK