SSM3K106TU(TE85L)參數：MOSFET N-CH SGL 20V 1.2A UFM
類別：分立半導體產品-FET - 單產品目錄繪圖： UFMTop UFMSide標準包裝：3,000系列：-包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平柵極，4V驅動漏源極電壓(Vdss)：20V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：1.2A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：310毫歐@600mA，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：2.3V@100µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：-不同Vds時的輸入電容(Ciss)：36pF@10V功率-最大值：500mW安裝類型：表面貼裝封裝：3-SMD，扁平引線供應商器件封裝：UFM（2.0x2.1）
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