SQJ463EP-T1-GE3
PDF資料下載

SQJ463EP-T1-GE3參數：MOSFET P-CH D-S 40V PPAK 8SOIC

類別：分立半導體產品-FET - 單
標準包裝：3,000
系列：TrenchFET®
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)：40V
電流 - 連續漏極 (Id)（25° C 時）：30A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：10 毫歐 @ 18A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：150nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：5875pF @ 20V
功率 - 最大值：83W
安裝類型：表面貼裝
封裝：PowerPAK? SO-8
供應商器件封裝：PowerPAK? SO-8