SPS01N60C3
PDF資料下載

SPS01N60C3參數(shù)：MOSFET N-CH 650V 800MA TO251-3

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
標(biāo)準(zhǔn)包裝：1,500
系列：CoolMOS™
包裝：管件
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓 (Vdss)：650V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：800mA
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：6 歐姆 @ 500mA，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：3.9V @ 250µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：5nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：100pF @ 25V
功率 - 最大值：11W
安裝類型：通孔
封裝：TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA
供應(yīng)商器件封裝：PG-TO251-3