SPB80N06S2L-09
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SPB80N06S2L-09參數：MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK

類別：分立半導體產品-FET - 單
產品變化通告： ProductDiscontinuation11/Aug/2008
標準包裝：1,000
系列：OptiMOS™
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：55V
電流-連續漏極(Id)（25°C時）：80A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：8.5毫歐@52A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：2V@125µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：105nC@10V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：3480pF@25V
功率-最大值：190W
安裝類型：表面貼裝
封裝：TO-263-3，D²Pak（2引線+接片），TO-263AB
供應商器件封裝：P-TO263-3