SPB80N03S2-03參數(shù):MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品變化通告: ProductDiscontinuation22/Feb/2008標(biāo)準包裝:1,000系列:OptiMOS™包裝:帶卷(TR)FET類型:MOSFETN通道,金屬氧化物FET功能:標(biāo)準漏源極電壓(Vdss):30V電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時):80A不同?Id、Vgs時的?RdsOn(最大值):3.1毫歐@80A,10V不同Id時的Vgs(th)(最大值):4V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg):150nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss):7020pF@25V功率-最大值:300W安裝類型:表面貼裝封裝:TO-263-3,D²Pak(2引線+接片),TO-263AB供應(yīng)商器件封裝:P-TO263-3