SPB100N04S2-04
PDF資料下載

SPB100N04S2-04參數(shù)：MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK

類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
產(chǎn)品變化通告： ProductDiscontinuation05/Jun/2008
標(biāo)準(zhǔn)包裝：1,000
系列：OptiMOS™
包裝：帶卷(TR)
FET類(lèi)型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓(Vdss)：40V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：100A
不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：3.3毫歐@80A，10V
不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA
不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：172nC@10V
不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：7220pF@25V
功率-最大值：300W
安裝類(lèi)型：表面貼裝
封裝：TO-263-3，D²Pak（2引線+接片），TO-263AB
供應(yīng)商器件封裝：P-TO263-3