SP8M6TB參數(shù)：MOSFET N+P 30V 3.5A 8-SOIC
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列產(chǎn)品目錄繪圖： RRS,RSSSeries8-SOP,8-SOIC標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,500系列：-包裝：帶卷(TR)FET類型：N和P溝道FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：30V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：5A，3.5A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：51毫歐@5A，10V不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：2.5V@1mA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：3.9nC@5V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：230pF@10V功率-最大值：2W安裝類型：表面貼裝封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm寬）供應(yīng)商器件封裝：8-SOICN
