SIHB12N60E-GE3
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SIHB12N60E-GE3參數(shù)：MOSFET N CH 600V 12A TO263

類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
標(biāo)準(zhǔn)包裝：1,000
系列：E 系列
包裝：散裝
FET 類(lèi)型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓 (Vdss)：600V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：12A
不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：380 毫歐 @ 6A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250µA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：58nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：937pF @ 100V
功率 - 最大值：147W
安裝類(lèi)型：表面貼裝
封裝：TO-263-3，D²Pak（2 引線(xiàn)+接片），TO-263AB
供應(yīng)商器件封裝：D2PAK