RUM002N02T2L
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RUM002N02T2L參數(shù)：MOSFET N-CH 20V 0.2A VMT3

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
標(biāo)準(zhǔn)包裝：8,000
系列：-
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平柵極，1.2V 驅(qū)動
漏源極電壓 (Vdss)：20V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：200mA
不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：1.2 歐姆 @ 200mA，2.5V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 1mA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：-
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：25pF @ 10V
功率 - 最大值：150mW
安裝類型：表面貼裝
封裝：SOT-723
供應(yīng)商器件封裝：VMT3