RSQ020N03TR
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RSQ020N03TR參數(shù)：MOSFET N-CH 30V 2A TSMT6

類別：分立半導體產(chǎn)品-FET - 單
產(chǎn)品目錄繪圖： TSMT-6PackageTop
特色產(chǎn)品： ECOMOS?SeriesMOSFETs
標準包裝：3,000
系列：-
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：邏輯電平柵極，4V驅(qū)動
漏源極電壓(Vdss)：30V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：2A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：134毫歐@2A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：2.5V@1mA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：3.1nC@5V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：110pF@10V
功率-最大值：1.25W
安裝類型：表面貼裝
封裝：SOT-23-6細型，TSOT-23-6
供應商器件封裝：TSMT6