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RDD020N60TL參數：MOSFET N-CH 600V 2A CPT3
類別：分立半導體產品-FET - 單標準包裝：2,500系列：-包裝：帶卷 (TR)FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：標準漏源極電壓 (Vdss)：600V電流 - 連續漏極 (Id)（25° C 時）：2A不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：-不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：-不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：-不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：-功率 - 最大值：20W安裝類型：表面貼裝封裝：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63供應商器件封裝：CPT3
