NTTS2P03R2G
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NTTS2P03R2G參數：MOSFET P-CH 30V 2.1A 8MICRO

類別：分立半導體產品-FET - 單
產品變化通告： ProductObsolescence21/Jan/2010
標準包裝：4,000
系列：-
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETP通道，金屬氧化物
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：30V
電流-連續漏極(Id)（25°C時）：2.1A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：85毫歐@2.48A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：3V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：22nC@4.5V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：500pF@24V
功率-最大值：600mW
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm寬）
供應商器件封裝：Micro8?