NTMSD3P303R2G參數(shù)：MOSFET P-CH 30V 2.34A 8-SOIC
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品變化通告： ProductObsolescence13/Apr/2009標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,500系列：FETKY™包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETP通道，金屬氧化物FET功能：二極管（隔離式）漏源極電壓(Vdss)：30V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：2.34A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：85毫歐@3.05A，10V不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：2.5V@250µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：25nC@10V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：750pF@24V功率-最大值：730mW安裝類型：表面貼裝封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm寬）供應(yīng)商器件封裝：8-SOICN
