IXTY1R6N100D2
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IXTY1R6N100D2參數(shù)：MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
標(biāo)準(zhǔn)包裝：70
系列：-
包裝：管件
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：耗盡模式
漏源極電壓 (Vdss)：1000V（1kV）
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：1.6A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：10 歐姆 @ 800mA，0V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：-
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：27nC @ 5V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：645pF @ 25V
功率 - 最大值：100W
安裝類型：表面貼裝
封裝：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應(yīng)商器件封裝：TO-252，（D-Pak）