IXTT60N20L2
PDF資料下載

IXTT60N20L2參數：MOSFET N-CH 200V 60A TO268

類別：分立半導體產品-FET - 單
標準包裝：30
系列：Linear L2™
包裝：管件
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：標準
漏源極電壓 (Vdss)：200V
電流 - 連續漏極 (Id)（25° C 時）：60A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：45 毫歐 @ 30A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：255nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：10500pF @ 25V
功率 - 最大值：540W
安裝類型：表面貼裝
封裝：TO-268-3，D³Pak（2 引線+接片），TO-268AA
供應商器件封裝：TO-268