IXFH18N100Q3參數(shù)：MOSFET N-CH 1000V 18A TO-247
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單特色產(chǎn)品： Q3-ClassHiPerFET?PowerMOSFETs標(biāo)準(zhǔn)包裝：30系列：HiPerFET™包裝：管件FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓(Vdss)：1000V（1kV）電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：18A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：660毫歐@9A，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：6.5V@4mA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：90nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：4890pF@25V功率-最大值：830W安裝類型：通孔封裝：TO-247-3供應(yīng)商器件封裝：TO-247
