IRF630NSPBF參數(shù):MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK
類別:分立半導體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品培訓模塊: HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)標準包裝:50系列:HEXFET®包裝:管件FET類型:MOSFETN通道,金屬氧化物FET功能:標準漏源極電壓(Vdss):200V電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時):9.3A不同?Id、Vgs時的?RdsOn(最大值):300毫歐@5.4A,10V不同Id時的Vgs(th)(最大值):4V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg):35nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss):575pF@25V功率-最大值:82W安裝類型:表面貼裝封裝:TO-263-3,D²Pak(2引線+接片),TO-263AB供應商器件封裝:D2PAK