FS200R07A1E3
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FS200R07A1E3參數(shù)：IGBT 650V 250A 790W

類別：半導體模塊-IGBT
標準包裝：4
系列：-
IGBT 類型：-
配置：三相反相器
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：650V
不同?Vge、Ic 時的?Vce(on)：1.9V @ 15V，200A
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：250A
電流 - 集電極截止（最大值）：1mA
不同?Vce 時的輸入電容 (Cies)：13nF @ 25V
功率 - 最大值：790W
輸入：標準
NTC 熱敏電阻：是
安裝類型：表面貼裝
封裝：模塊
供應商器件封裝：模塊