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FS200R07A1E3參數(shù)：IGBT 650V 250A 790W
類別：半導(dǎo)體模塊-IGBT標(biāo)準(zhǔn)包裝：4系列：-IGBT 類型：-配置：三相反相器電壓 - 集射極擊穿（最大值）：650V不同?Vge、Ic 時(shí)的?Vce(on)：1.9V @ 15V，200A電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：250A電流 - 集電極截止（最大值）：1mA不同?Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies)：13nF @ 25V功率 - 最大值：790W輸入：標(biāo)準(zhǔn)NTC 熱敏電阻：是安裝類型：表面貼裝封裝：模塊供應(yīng)商器件封裝：模塊
