FQT5P10TF參數(shù)：MOSFET P-CH 100V 1A SOT-223
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： HighVoltageSwitchesforPowerProcessing標(biāo)準(zhǔn)包裝：4,000系列：QFET™包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETP通道，金屬氧化物FET功能：標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓(Vdss)：100V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：1A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：1.05歐姆@500mA，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：8.2nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：250pF@25V功率-最大值：2W安裝類型：表面貼裝封裝：TO-261-4，TO-261AA供應(yīng)商器件封裝：SOT-223-3
